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Référence fabricant | MX25L25655FXDI-10G |
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Numéro de pièce future | FT-MX25L25655FXDI-10G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MXSMIO™ |
MX25L25655FXDI-10G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 30µs, 3ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-TBGA, CSPBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CSPBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L25655FXDI-10G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MX25L25655FXDI-10G-FT |
DS28E38Q+T
Maxim Integrated
DS28EC20Q+T
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DS28EL22Q+T
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Maxim Integrated
DS28E15Q+U
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DS28E22Q+U
Maxim Integrated
DS28E25Q+U
Maxim Integrated
XC2S30-5VQ100C
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XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
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EP3SE110F1152C4LN
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XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
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LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation