maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MX1N8176US
Référence fabricant | MX1N8176US |
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Numéro de pièce future | FT-MX1N8176US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MX1N8176US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX1N8176US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MX1N8176US-FT |
MX1.5KE36AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE36CA
Microsemi Corporation
MX1.5KE36CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE39A
Microsemi Corporation
MX1.5KE39AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE39CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE400AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE400CA
Microsemi Corporation
MX1.5KE400CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE43A
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel