maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / MW6S010MR1
Référence fabricant | MW6S010MR1 |
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Numéro de pièce future | FT-MW6S010MR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MW6S010MR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 960MHz |
Gain | 18dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 125mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 68V |
Paquet / caisse | TO-270-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-270-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MW6S010MR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MW6S010MR1-FT |
MMRF1004GNR1
NXP USA Inc.
MMRF1015GNR1
NXP USA Inc.
MW6S010GNR1
NXP USA Inc.
MMRF1304GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S19060GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S27015GNR1
NXP USA Inc.
MRF9030GNR1
NXP USA Inc.
MRF9045GNR1
NXP USA Inc.
MW6S010GMR1
NXP USA Inc.
EP20K30ETC144-1X
Intel
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XCS20-3PQ208C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6N
Intel
EPF10K200SFC484-1X
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL060V5-CS121
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29C8L
Intel