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ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G
- Numéro de pièce MFG
- MVB50P03HDLT4G
- quantité disponible
- 19610 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- Automotive, AEC-Q101 INTEGRATED CIRCUIT
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- MVB50P03HDLT4G.pdf
MVB50P03HDLT4G Caractéristiques
| Référence fabricant | MVB50P03HDLT4G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MVB50P03HDLT4G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Automotive, AEC-Q101 |
| MVB50P03HDLT4G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4.9nF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | D2PAK-3 |
| Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MVB50P03HDLT4G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MVB50P03HDLT4G-FT |
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