maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / MV2N5116
Référence fabricant | MV2N5116 |
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Numéro de pièce future | FT-MV2N5116 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MV2N5116 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 30V |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 6V @ 1nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
Résistance - RDS (On) | 100 Ohms |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-18 (TO-206AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N5116 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV2N5116-FT |
2N4859JTX02
Vishay Siliconix
2N4859JTXL02
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2N4859JTXV02
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2N4860JAN02
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2N4860JTX02
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XC7A75T-3FGG676E
Xilinx Inc.
XC7A50T-L2FGG484E
Xilinx Inc.
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100I
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EP20K160EFC484-3N
Intel
EP1K100FC256-2N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL200F1152C3
Intel
XC5VLX220-1FF1760I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation