maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / MV2N5114
Référence fabricant | MV2N5114 |
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Numéro de pièce future | FT-MV2N5114 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MV2N5114 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 30V |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 90mA @ 18V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 10V @ 1nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
Résistance - RDS (On) | 75 Ohms |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-18 (TO-206AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N5114 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV2N5114-FT |
2N4859JAN02
Vishay Siliconix
2N4859JTX02
Vishay Siliconix
2N4859JTXL02
Vishay Siliconix
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2N4860JAN02
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ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F484C2N
Intel
EP3C5F256I7N
Intel
5SGXMABN2F45I3LN
Intel
A40MX04-1PLG44M
Microsemi Corporation
XC6VHX380T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
Intel
EP2AGX190EF29C4N
Intel
5SGSMD3H1F35C2N
Intel