maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / MV2N4857
Référence fabricant | MV2N4857 |
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Numéro de pièce future | FT-MV2N4857 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV2N4857 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 40V |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 100mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 6V @ 500pA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
Résistance - RDS (On) | 40 Ohms |
Puissance - Max | 360mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-18 (TO-206AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N4857 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV2N4857-FT |
2N4857JTXL02
Vishay Siliconix
2N4857JTXV02
Vishay Siliconix
2N4858JAN02
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2N4858JTVP02
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2N4858JTX02
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2N4858JTXL02
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2N4858JTXV02
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2N4858JVP02
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2N4859A
Central Semiconductor Corp
2N4859JAN02
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XC3S250E-4TQG144C
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EP20K160ETC144-2
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EP20K200EFI484-2X
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A40MX04-1PL44I
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XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C4N
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10AX048E1F29I1SG
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