maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / MV2N4856
Référence fabricant | MV2N4856 |
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Numéro de pièce future | FT-MV2N4856 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/385 |
MV2N4856 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 40V |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 175mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 10V @ 500pA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
Résistance - RDS (On) | 25 Ohms |
Puissance - Max | 360mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-18 (TO-206AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N4856 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV2N4856-FT |
2N4857JAN02
Vishay Siliconix
2N4857JTX02
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A54SX16P-TQ144M
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EFC672-3N
Intel
EP4CE15E22C7N
Intel
XC6VHX255T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP15E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19I7
Intel