maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8171US
Référence fabricant | MV1N8171US |
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Numéro de pièce future | FT-MV1N8171US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8171US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8171US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8171US-FT |
MSMLG22CA
Microsemi Corporation
MSMLG22CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG24CA
Microsemi Corporation
MSMLG24CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG26A
Microsemi Corporation
MSMLG26AE3
Microsemi Corporation
MSMLG26CA
Microsemi Corporation
MSMLG26CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG28AE3
Microsemi Corporation
MSMLG28CA
Microsemi Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel