maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8170US
Référence fabricant | MV1N8170US |
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Numéro de pièce future | FT-MV1N8170US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8170US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8170US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8170US-FT |
MSMLG22A
Microsemi Corporation
MSMLG22AE3
Microsemi Corporation
MSMLG22CA
Microsemi Corporation
MSMLG22CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG24CA
Microsemi Corporation
MSMLG24CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG26A
Microsemi Corporation
MSMLG26AE3
Microsemi Corporation
MSMLG26CA
Microsemi Corporation
MSMLG26CAE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel