maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8169US
Référence fabricant | MV1N8169US |
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Numéro de pièce future | FT-MV1N8169US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8169US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8169US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8169US-FT |
MSMLG20CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG22A
Microsemi Corporation
MSMLG22AE3
Microsemi Corporation
MSMLG22CA
Microsemi Corporation
MSMLG22CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG24CA
Microsemi Corporation
MSMLG24CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG26A
Microsemi Corporation
MSMLG26AE3
Microsemi Corporation
MSMLG26CA
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel