maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8163
Référence fabricant | MV1N8163 |
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Numéro de pièce future | FT-MV1N8163 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8163 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8163 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8163-FT |
MSMCGLCE8.0A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE8.0AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE8.5A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE8.5AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE9.0A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE9.0AE3
Microsemi Corporation
MSMLG20A
Microsemi Corporation
MSMLG20AE3
Microsemi Corporation
MSMLG20CA
Microsemi Corporation
MSMLG20CAE3
Microsemi Corporation
XC3S1500-4FG456C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG256
Microsemi Corporation
MPF100TS-FCVG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2N
Intel
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation