maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8159US
Référence fabricant | MV1N8159US |
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Numéro de pièce future | FT-MV1N8159US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8159US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8159US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8159US-FT |
MSMCGLCE64A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE64AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.0A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.0AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.5A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.5AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE8.0A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE8.0AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE8.5A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE8.5AE3
Microsemi Corporation
XC3S1500-4FG456C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG256
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MPF100TS-FCVG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2N
Intel
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation