maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8157
Référence fabricant | MV1N8157 |
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Numéro de pièce future | FT-MV1N8157 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8157 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8157 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8157-FT |
MSMCGLCE51AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE58A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE58AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE60A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE60AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE64A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE64AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.0A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.0AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.5A
Microsemi Corporation
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S200-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
MPF500T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
A54SX16A-2TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600CB652C8
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel