maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8155US
Référence fabricant | MV1N8155US |
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Numéro de pièce future | FT-MV1N8155US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8155US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8155US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8155US-FT |
MSMCGLCE48A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE48AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE58A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE58AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE60A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE60AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE64A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE64AE3
Microsemi Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
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EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
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LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
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EP20K1000CF33C8N
Intel