maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8152US
Référence fabricant | MV1N8152US |
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Numéro de pièce future | FT-MV1N8152US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8152US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8152US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8152US-FT |
MSMCGLCE40A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE43A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE43AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE48A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE48AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51AE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
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APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel