maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8150US
Référence fabricant | MV1N8150US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MV1N8150US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8150US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8150US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8150US-FT |
MSMCGLCE33A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE33AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE43A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE43AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45AE3
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG100
Microsemi Corporation
XA6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84M
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQI
Microchip Technology
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
EP4CE22E22I8LN
Intel
5SGXEA4H1F35C2N
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel