maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MV1N8147
Référence fabricant | MV1N8147 |
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Numéro de pièce future | FT-MV1N8147 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MV1N8147 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8147 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MV1N8147-FT |
MSMCGLCE26AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE28A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE28AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE30A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE30AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE33A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE33AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40A
Microsemi Corporation
A1415A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M2GL025-VFG400I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22C8L
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
EP20K200BC356-1
Intel