maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURTA60060
Référence fabricant | MURTA60060 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MURTA60060 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURTA60060 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 600A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 300A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 280ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA60060 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURTA60060-FT |
MSRT150140(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15080(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200100(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200120(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200140(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT20060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT20080(A)D
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel