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MURTA200120R Image

GeneSiC Semiconductor MURTA200120R

Numéro de pièce MFG
MURTA200120R
quantité disponible
15970 Pièces
Prix de référence
USD 83.705776
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
- DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MURTA200120R.pdf
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MURTA200120R Caractéristiques

Référence fabricant MURTA200120R
Numéro de pièce future FT-MURTA200120R
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MURTA200120R Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Configuration de la diode 1 Pair Common Anode
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) 100A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 2.6V @ 100A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 25µA @ 1200V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Three Tower
Package d'appareils du fournisseur Three Tower
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MURTA200120R Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MURTA200120R-FT

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