maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURT40010R
Référence fabricant | MURT40010R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MURT40010R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURT40010R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 400A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 125ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT40010R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURT40010R-FT |
MBRT500150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50020
GeneSiC Semiconductor
MBRT500200
GeneSiC Semiconductor
MBRT500200R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50030
GeneSiC Semiconductor
MBRT50030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50035
GeneSiC Semiconductor
MBRT50035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50040
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel