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MURT20010R Image

GeneSiC Semiconductor MURT20010R

Numéro de pièce MFG
MURT20010R
quantité disponible
67350 Pièces
Prix de référence
USD 74.76768
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
- DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MURT20010R.pdf
MURT20010R Image

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MURT20010R Caractéristiques

Référence fabricant MURT20010R
Numéro de pièce future FT-MURT20010R
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MURT20010R Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Configuration de la diode 1 Pair Common Anode
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) 200A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.3V @ 100A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 75ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 25µA @ 50V
Température de fonctionnement - Jonction -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Three Tower
Package d'appareils du fournisseur Three Tower
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MURT20010R Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MURT20010R-FT

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