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Référence fabricant | MURS360S-M3/5BT |
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Numéro de pièce future | FT-MURS360S-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURS360S-M3/5BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS360S-M3/5BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURS360S-M3/5BT-FT |
AS3BJHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel