maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MURS160HE3_A/H
Référence fabricant | MURS160HE3_A/H |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MURS160HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MURS160HE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS160HE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURS160HE3_A/H-FT |
US1GHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1MHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1MHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ040NPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel