maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURH860CTG
Référence fabricant | MURH860CTG |
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Numéro de pièce future | FT-MURH860CTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MEGAHERTZ™ |
MURH860CTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.8V @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURH860CTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURH860CTG-FT |
SBL2030PT
Diodes Incorporated
SBL2035PT
Diodes Incorporated
SBL2040PT
Diodes Incorporated
SBL2045PT
Diodes Incorporated
SBL2050PT
Diodes Incorporated
SBL2060PT
Diodes Incorporated
SBL3030PT
Diodes Incorporated
SBL3035PT
Diodes Incorporated
SBL3040PT
Diodes Incorporated
SBL3045PT
Diodes Incorporated
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel