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Référence fabricant | MUR4L60HA0G |
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Numéro de pièce future | FT-MUR4L60HA0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MUR4L60HA0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.28V @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR4L60HA0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR4L60HA0G-FT |
SR303HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR303HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR304 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR304HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR304HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR305 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR305 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR305HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR305HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR420 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel