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Référence fabricant | MUR315S M6G |
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Numéro de pièce future | FT-MUR315S M6G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUR315S M6G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR315S M6G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR315S M6G-FT |
SS215 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS215HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS215HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22HR5G
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SS23 M4G
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SS23HM4G
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SS23HR5G
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XC3SD3400A-4CS484C
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XC2S50-6FG256C
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Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
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A42MX16-1TQG176M
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LFE3-70EA-6FN672C
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EP2SGX60DF780C5N
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EP1S40F1020I6N
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