maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MUR2X100A02
Référence fabricant | MUR2X100A02 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUR2X100A02 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUR2X100A02 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR2X100A02 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR2X100A02-FT |
MBRTA40030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40035L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40040L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40045L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40045RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500100
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500100R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500150
GeneSiC Semiconductor
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation