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Référence fabricant | MUR190HB0G |
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Numéro de pièce future | FT-MUR190HB0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MUR190HB0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 900V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 900V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AC, DO-15, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AC (DO-15) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR190HB0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR190HB0G-FT |
SF27GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF28G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF28GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF28GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L4G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L4GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L4GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L6G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L6GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L6GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
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M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel