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Référence fabricant | MUR160A R1G |
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Numéro de pièce future | FT-MUR160A R1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUR160A R1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 27pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR160A R1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR160A R1G-FT |
1N4004G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHB0G
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1N4004GHR1G
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1N4005G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GHR1G
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1N4006G A0G
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1N4006G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G R1G
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A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
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5SGSED8N2F45I3LN
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EP3SE80F1152C3N
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