maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MUR1100EG
Référence fabricant | MUR1100EG |
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Numéro de pièce future | FT-MUR1100EG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
MUR1100EG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 100ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR1100EG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR1100EG-FT |
SBRS8120T3G
ON Semiconductor
SURS8120T3G
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A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
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EP1K30FC256-2N
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EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel