maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MUR10060CTR
Référence fabricant | MUR10060CTR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUR10060CTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUR10060CTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 110ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Twin Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Twin Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR10060CTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR10060CTR-FT |
DD350N18KHPSA1
Infineon Technologies
DD380N16AHPSA1
Infineon Technologies
DD380N16KHPSA1
Infineon Technologies
DD540N22KHPSA2
Infineon Technologies
DD540N26KHPSA1
Infineon Technologies
DD600N12KHPSA2
Infineon Technologies
DD600N14KHPSA2
Infineon Technologies
DD600N16KAHPSA1
Infineon Technologies
DD600N16KHPSA3
Infineon Technologies
DD600N18KHPSA2
Infineon Technologies
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel