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ON Semiconductor MTD6N15T4GV

Name: MTD6N15T4GV
Brand: ON Semiconductor
SKU: MTD6N15T4GV
Availability: InStock
Rating: 4.6 (699 reviews)

Numéro de pièce MFG: MTD6N15T4GV

quantité disponible: 59720 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 150V 5A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MTD6N15T4GV.pdf

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MTD6N15T4GV Caractéristiques

Référence fabricant	MTD6N15T4GV
Numéro de pièce future	FT-MTD6N15T4GV
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MTD6N15T4GV Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.25W (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MTD6N15T4GV Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MTD6N15T4GV-FT

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