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Référence fabricant | MTD5010W |
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Numéro de pièce future | FT-MTD5010W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MTD5010W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Longueur d'onde | 850nm |
Couleur - Améliorée | Infrared (NIR)/Red |
Gamme spectrale | 400nm ~ 1100nm |
Type de diode | - |
Responsivité @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Temps de réponse | 3.5ns |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Sombre (Typ) | 5nA |
Zone active | - |
Angle de vue | 110° |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MTD5010W-FT |
UVG5S
Opto Diode Corp
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
LCMXO2-1200ZE-2TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FFG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
LFXP10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F31C6N
Intel
EP1S25F780C6N
Intel