maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs optiques - Photodiodes / MTD5010W
Référence fabricant | MTD5010W |
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Numéro de pièce future | FT-MTD5010W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MTD5010W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Longueur d'onde | 850nm |
Couleur - Améliorée | Infrared (NIR)/Red |
Gamme spectrale | 400nm ~ 1100nm |
Type de diode | - |
Responsivité @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Temps de réponse | 3.5ns |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Sombre (Typ) | 5nA |
Zone active | - |
Angle de vue | 110° |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MTD5010W-FT |
UVG5S
Opto Diode Corp
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
LFE2-12SE-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010S-1VF400I
Microsemi Corporation
10AX027E2F27E2SG
Intel
EP4CE6E22C9L
Intel
XC7VX980T-L2FF1926E
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100A
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8636ALC84-4N
Intel
EPF10K130EBI356-2
Intel
EPF10K30RC240-3N
Intel