maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs optiques - Photodiodes / MTD5010W
Référence fabricant | MTD5010W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MTD5010W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MTD5010W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Longueur d'onde | 850nm |
Couleur - Améliorée | Infrared (NIR)/Red |
Gamme spectrale | 400nm ~ 1100nm |
Type de diode | - |
Responsivité @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Temps de réponse | 3.5ns |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Sombre (Typ) | 5nA |
Zone active | - |
Angle de vue | 110° |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MTD5010W-FT |
UVG5S
Opto Diode Corp
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
A54SX08A-1TQ144
Microsemi Corporation
XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3FGG676E
Xilinx Inc.
A54SX72A-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PLG44M
Microsemi Corporation
M1A3P250-FGG144
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29I5
Intel
EP2S130F1508C5
Intel
5SGXEA3H1F35C1N
Intel