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ON Semiconductor MTB50P03HDLT4G

Name: MTB50P03HDLT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: MTB50P03HDLT4G
Price: 1.716 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (709 reviews)

Numéro de pièce MFG: MTB50P03HDLT4G

quantité disponible: 74380 Pièces

Prix de référence: USD 1.716

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MTB50P03HDLT4G.pdf

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MTB50P03HDLT4G Caractéristiques

Référence fabricant	MTB50P03HDLT4G
Numéro de pièce future	FT-MTB50P03HDLT4G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MTB50P03HDLT4G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 5V
Vgs (Max)	±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4900pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MTB50P03HDLT4G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MTB50P03HDLT4G-FT

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