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Référence fabricant | MTA8ATF51264HZ-2G6B1 |
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Numéro de pièce future | FT-MTA8ATF51264HZ-2G6B1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MTA8ATF51264HZ-2G6B1-FT |
MT53D6DABE-DC
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel