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Micron Technology Inc. MTA4ATF51264HZ-2G6E1
- Numéro de pièce MFG
- MTA4ATF51264HZ-2G6E1
- quantité disponible
- 83020 Pièces
- Prix de référence
- USD 45.54448
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Micron Technology Inc.
- Brève description
- - IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Mémoire
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- MTA4ATF51264HZ-2G6E1.pdf
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Caractéristiques
| Référence fabricant | MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - DDR4 |
| Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
| Fréquence d'horloge | 1333MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.2V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MTA4ATF51264HZ-2G6E1-FT |
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