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Référence fabricant | MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MTA4ATF51264HZ-2G6E1-FT |
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4CY-5B:J
Micron Technology Inc.
MT46V128M4CY-5B:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B AIT:J
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B AIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B XIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16T67A3WC1
Micron Technology Inc.
MT46V32M8P-5B:M
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel