maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E
Référence fabricant | MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 48Gb (768M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E-FT |
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT:D TR
Micron Technology Inc.
XC2VP70-6FF1517C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
10CX105YF672I6G
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
Intel