maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
Référence fabricant | MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 48Gb (768M x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR-FT |
IS43DR81280B-3DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR82560C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400C-25DBL
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IS43DR86400C-25DBL-TR
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IS43DR86400C-25DBLI
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A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
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Intel