maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
Référence fabricant | MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR-FT |
MT46H64M16LFT68MWC2
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4CY-5B:J
Micron Technology Inc.
MT46V128M4CY-5B:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B AIT:J
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel