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Référence fabricant | MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D-FT |
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ABP-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ARQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ARQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ASQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ASQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DABD-DC
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel