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Référence fabricant | MT53D512M64D4BP-046 WT:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M64D4BP-046 WT:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M64D4BP-046 WT:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4BP-046 WT:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M64D4BP-046 WT:E-FT |
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4NY-046 XT:D
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4NZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation