maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B

| Référence fabricant | MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
| Fréquence d'horloge | 2133MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | - |
| Tension - Alimentation | 1.1V |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B-FT |

MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
Micron Technology Inc.

MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.

MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B768M32D4TT-062 WT:B
Micron Technology Inc.

MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.

MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.

XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.

XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.

XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.

EPF10K200SFC672-3
Intel

EP4CGX150CF23I7
Intel

LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2SGX130GF40C5NES
Intel

10AX048E2F29I1SG
Intel

10AX016E3F27E1HG
Intel

EP20K60EFC324-2
Intel