maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B
Référence fabricant | MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B-FT |
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel