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Référence fabricant | MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (1G x 32) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR-FT |
MT53B4DANW-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAPV-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAPV-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DATT-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DATT-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DATX-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAWT-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBDT-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBDT-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DBEZ-DC TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel