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Référence fabricant | MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (512M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR-FT |
MT44K32M36RB-093E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K32M36RB-107E:A
Micron Technology Inc.
MT44K32M36RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-083F:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-083F:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-093E:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-093E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-107E:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel