maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B384M32D2NP-062 XT:B
Référence fabricant | MT53B384M32D2NP-062 XT:B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT53B384M32D2NP-062 XT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B384M32D2NP-062 XT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 12Gb (384M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M32D2NP-062 XT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B384M32D2NP-062 XT:B-FT |
MT53B192M32D1Z0AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z9AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DATG-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DBDS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DBDS-DC TR
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel