maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
Référence fabricant | MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 12Gb (384M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR-FT |
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z9AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel