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Référence fabricant | MT53B256M32D1NP-053 WT:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B256M32D1NP-053 WT:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B256M32D1NP-053 WT:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1NP-053 WT:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B256M32D1NP-053 WT:C-FT |
MT41K256M16TW-107 AUT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16V00HWC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 V:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 V:P TR
Micron Technology Inc.