maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
Référence fabricant | MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (1G x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C-FT |
MT49H32M18CBM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation