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Référence fabricant | MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR-FT |
MT40A512M16LY-075:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16Z01AWC1
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-107G:K TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel